同时，丢端B4C的催化作用也加速了多硫化物转化的氧化还原动力学过程，有助于提高倍率性能。
近年来，丢端一篇成功的论文上面少不了实验和理论模拟的结合，丢端即使很多本身不做任何计算模拟的课题组，都通过各种各样的渠道寻找资源要给自己的研究成果找来这点睛的一笔。比如在Lee等人的文章中4，丢端拉曼表征则被很好的运用在测量多层二维材料的厚度上。
对于实验中发生的新相，丢端可以通过与各大材料计算以及实验的晶体材料数据库找到所有可能的晶体结构，丢端再利用DFT计算得到最优结构，最后将XRD衍射模拟和实验图谱进行对比。而在第一性原理的计算软件之中，丢端VASP具备相对全面的功能模块以及鲁棒性，以及大量的用户社群资源，从而是材料表征模拟的理想选择1。电子结构往往决定了材料的很多性质，丢端比如导电性，催化活性，磁性，吸附能力等等。
此类的图像模拟主要在于预测原子组成的晶体结构(CrystalStructure)，丢端点阵(Lattice)以及占位情况(Occupancy)。【参考文献】Kressea,J.Furthmüllerb,Efficiencyofab-initiototalenergycalculationsformetalsandsemiconductorsusingaplane-wavebasisset,Comp.Mater.Sci.,1996,6,15.Diaz,R.Addou,M.Batzill,InterfacepropertiesofCVDgrowngraphenetransferredontoMoS2(0001),Nanoscale,2014,6,1071.Alidoust,G.Bian,S.Xu,R.Sankar,M.Neupane,C.Liu,I.Belopolski,D.Qu,J.Denlinger,F.Chou,M.Hasan,Observationofmonolayervalencebandspin-orbiteffectandinducedquantumwellstatesinMoX2,Nat.Comm.,2015,5,4673.Lee,H.Yan,L.Brus,T.Heinz,J.Hone,S.Ryu,AnomalousLatticeVibrationsofSingleandFew-LayerMoS2,ACSNano,2010,4,2695.如果您想利用上述理论计算方法，丢端欢迎您使用材料人计算模拟解决方案。
比如在Horacio的文章中2，丢端STM就被运用在材料表征MoS 2 和graphene的的异质结结构。
而第一性原理计算，丢端因为对材料性质相对全能的预测能力，丢端以及几乎不依赖任何经验参数的特性，逐渐为越来越多的科研工作者采用辅助和解释实验现象。丢端图6.CO2RR过程中CuNCs的降解机理。
【成果简介】近日，丢端瑞士洛桑联邦理工学院的JianfengHuang（第一作者）在RaffaellaBuonsanti教授（通讯作者）的指导下，丢端在国际顶级综合性期刊Nat.Common.上发表了文章：Potential-inducednanoclusteringofmetalliccatalystsduringelectrochemicalCO2reduction。丢端b.一个Cu纳米立方体沿着[001]和[111]两个结晶方向的TEM图像和相应的形貌模型。
a.在水溶液中H覆盖的Cu表面的界面能;b.CO覆盖Cu表面的界面能;c.包括H，丢端CO和混合H+CO覆盖表面的Cu纳米颗粒的Wulff形状对pH和电势的依赖性。主要研究了具有三种不同尺寸（即16nm，丢端41nm和65nm）的Cu纳米立方体的结构演变，以与它们的活性，选择性和稳定性如何关联。
